Dry etching 介绍
- 各向同性刻蚀 (Isotropic Etching)
- 仅通过化学反应，蚀刻Radical与膜表面的薄膜
- 用以Radical的random运动性进行非等向性etching
- High selectivity (化学反应性)
- 在下部膜的damage较少
- 发生undercut，难以体现微细pattern
- 过多使用化学药品引起环境问题
- 各向异性刻蚀 (Anisotropic etching)
- 由Self-bias加速的Ion可促进化学反应，从而进行etching
- 由于Ion加速到一个方向, 在侧面几乎没有侵蚀
- 蚀刻resolution较好(可以做到1um以下)
- 因物理性冲突而发生蚀刻，需注意下部膜damage
- ECCP
(Enhanced Capacitive Coupled Plasma) - 电容耦合等离子体(CCP)，是电介质夹在平行平板之间的等离子体发生设备
- 等离子体密度与ICP方式相比不高，它的优点在于可以比较简单地打造成uniform的大口径等离子体
- 此设备可以进行大面积蚀刻(etching)，薄膜沉积(deposition)等，因此在半导体元件及薄膜型Si系太阳能电池制造工程中广泛使用
- ICP
(Inductive Coupled Plasma) - 诱导结合型等离子体(ICP)的简单原理，是位于反应容器(chamber)外的线圈型天线里注入电流，在天线周围的诱导电场使电子沿水平方向振动，因此在电极被吸收的电子较少，比其他形态的plasma source具有更高的电子密度
- 在(高密度plasma形成)下部Bias电极吸引Ion进行etching
