KR
Dry Etcher System
Global 대면적 Display Array 공정을
선도하는 고정밀 식각 Solution
인베니아는 대면적 기판의 식각 속도(Etch Rate)와 균일도(Uniformity)를 최적화한 ECCP Dry Etcher와 고밀도 플라즈마 기반의
안테나 설계 및 개별 제어 기술로 초미세 회로 패턴을 형성하는 ICP Dry Etcher를 통해, 중소형부터 대면적 프리미엄 라인까지 G2.5~G10.5 전 세대 기판에 대응하며,
LGD, BOE, CSOT, HKC, Tianma, AUO 등 국내외 주요 패널사의 글로벌 양산 팹에 핵심 장비를 공급한 레퍼런스를 보유하고 있습니다.
ECCP
Dry Etcher
- Tact Time: ≤ 62sec
- 진공: P/C : ≤ 5.0 x 10-5 Torr
- E/R : ≥ 800~4000Å/min
（절연막, N+, ACT） - Unif.(%) : ≤ 15%
ICP
Dry Etcher
- Tact Time: ≤ 62sec
- 진공: P/C : ≤ 5.0 x 10-5 Torr
- E/R : ≥ 2000~6000Å/min (절연막)
- Unif.(%) : ≤ 10%
