CN
Dry Etcher System
引领全球大面积显示阵列工艺的高精度刻蚀解决方案
INVENIA通过优化大尺寸基板刻蚀速率与均匀性的ECCP Dry Etcher，以及基于高密度等离子体、天线设计及独立控制技术形成超微细电路图形的ICP Dry Etcher，覆盖G2.5至G10.5全世代基板，满足中小尺寸至大面积高端生产线的需求。我们已向LGD、BOE、CSOT、HKC、天马及友达等国内外主要面板厂商的全球量产工厂提供核心设备。
ECCP Dry Etcher
- Tact Time: ≤ 62sec
- 真空度：P/C ≤ 5.0 × 10⁻⁵ Torr
- 刻蚀速率：≥ 800–4000 Å/min（绝缘膜、N+、ACT）
- Unif.(%) : ≤ 15%
ICP Dry Etcher
- Tact Time: ≤ 62sec
- 真空度：P/C ≤ 5.0 × 10⁻⁵ Torr
- 刻蚀速率：≥ 2000–6000 Å/min（绝缘膜）
- Unif.(%) : ≤ 10%
