CN
Dry etching 概述
- 各向同性刻蚀 (Isotropic Etching)
- 仅通过自由基与薄膜表面的化学反应刻蚀薄膜。
- 自由基的随机运动产生各向异性刻蚀。
- 高选择比（化学反应性）
- 对底层薄膜损伤小
- 会产生底切，难以实现精细图形。
- 过量使用化学品引发环境问题。
- 各向异性刻蚀 (Anisotropic etching)
- 自偏压加速的离子促进化学反应，
从而进行刻蚀。 - 离子沿单一方向加速，因此侧向侵蚀极少。
- 刻蚀分辨率高（可达到1微米以下）
- 物理轰击也会产生刻蚀，因此须注意对底层薄膜的
损伤。
- ECCP
(Enhanced Capacitive Coupled Plasma) - 电容耦合等离子体（CCP）发生装置采用在平行板之间
置入电介质的结构。 - 虽然等离子体密度不及 ICP，但能够相对
简便地形成均匀的大直径等离子体，
这是其优势。 - 该装置可进行大面积刻蚀及薄膜沉积等工艺，
因此广泛用于半导体器件及薄膜硅基太阳能电池的
制造工艺。
- ICP
(Inductive Coupled Plasma) - 电感耦合等离子体（ICP）的基本原理是，向位于反应腔室
外部的线圈状天线通入电流。
天线周围的感应电场使电子沿水平方向
振荡。由于被电极吸收的电子较少，因此与其他
等离子体源相比，具有更高的电子密度。 - 由此形成高密度等离子体，下方偏压电极吸引离子，
从而进行刻蚀。
